Описание
При разработке, изготовлении и повседневной работе средств связи следует принимать во внимание ее специфические параметры. Хорошая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть достигнута максимально при учете таких факторов, как разброс свойств транзисторов, их температурная стабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение характеристик полупроводников в процессе использования.
Полевые транзисторы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации, транспортировкии хранения, характерных для разных видов и классов электроники. Условия эксплуатации техники могут колебаться в широких пределах. Рабочие условия характеризуются внешними вибрационными силами и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).
Общие условия, справедливые для всех полевых транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного вида, есть в общих технических требованиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, находятся в конкретных технических требованиях.
Для удобства конструирования и ремонта средств связи, основные характеристики транзисторов и их даташиты приведены в справочнике. К преимуществам электронного справочника необходимо отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск требуемого биполярного транзистора по имени и быстрый поиск аналогов.
Под действием различных факторов климата многие параметры транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от агрессивных воздействий служат корпуса элементов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе электротехники при любых допустимых условиях применения. Надо знать, что корпуса полупроводниковых приборов, в конечном счете, имеют предел по герметичности. Поэтому при эксплуатации электронных приборов в аппаратуре, необходимой для работы в условиях повышенной влажности, платы с установленными на них транзисторами необходимо покрывать защитным составом не менее чем в три слоя.
Все большую популярность получают так называемые бескорпусные элементы, изготовленные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы этих элементов защищены особым слоем, но он не дает отличной обороны от действия агрессивной среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросборки.
Чтобы обеспечить долголетнюю и качественную работу полупроводникового оборудования, конструктор обязан не только учесть характерные особенности полевых транзисторов на этапе разработки техники, но и охарактеризовать должные условия ее эксплуатации и хранения.
полевые транзисторы - приборы широкого круга применения. Они могут быть без нареканий внедрены не только в виде приборов, для которых они разработаны, но и в любых других приборах. Однако спектр параметров и характеристик, расположенных в электронном справочнике, приближен к главному использованию приборов. В справочнике есть значения характеристик полевых транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий график трехполюсника в ремонтируемом аппарате часто отличается от того режима, для которого есть характеристики в технических условиях.
Значения большинства характеристик транзисторов зависят от рабочего режима и температуры и с возрастанием температуры зависимость параметров от режима видно очень сильно. В хорошем справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) значения характеристик полупроводниковых приборов от тока, напряжения, влажности, частоты и т. п. Эти зависимости могут использоваться при нахождении типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения параметров трехполюсников одного типа не идентичны, а находятся в некотором интервале. Этот диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, написанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.
При конструировании сотовой аппаратуры нужно стремиться обеспечить их эффективность в возможно более больших интервалах колебаний важнейших характеристик транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их колебание во времени при ремонте могут быть учтены вычислительными способами или эмпирически — способом граничных испытаний.
Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом эксплуатируются в режиме обеднения p-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при колебании потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.
В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых эксплуатируемая область находится от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы имеют большое входное сопротивление при разных значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
В радиоаппаратуре полупроводниковый прибор может быть применен в большом диапазоне потенциалов и токов. Ограничением являются показания предельно допустимых режимов, превышение которых в условиях эксплуатации не допускается независимо от длительности импульсов напряжения или тока. Следовательно при применении трехполюсников нужно обеспечить их защиту от мгновенных изменений токов и потенциалов, возникающих при переходных процессах (моменты изменения режимов работы и т.п.), мгновенных изменениях питающих напряжений. Не допускается также применение трехполюсников в совмещенных предельных режимах (например, по напряжению и току).
Не рекомендуется эксплуатация трехполюсников при рабочих токах, сравнимых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур.
Из справочника можно получить параметры транзистора 2G374. | |
